軟啟動器可控矽的主要技術參數

點擊次數:   更新時間:19/03/05 11:28:03     來源:caifu21175.cn關閉分    享:
  很多企業使用軟啟動器的時候都會安裝可控矽,這時候嗎我們需要了解可控矽的主要技術參數。
  1、正向阻斷峰值電壓(VPFU)是指在控制極開路及正向阻斷條件下,可以重複加在器件上的正向電壓的峰值。此電壓規定為正向轉折電壓值的80%。
  2、反向阻斷峰值電壓它是指在控制極斷路和額定結溫度下,可以重複加在器件上的反向電壓的峰值。此電壓規定為高反向測試電壓值的80%。
  3、額定正向平均電流(IF)在環境溫度為+40C時,器件導通(标準散熱條件)可連續通過工頻(即指供電網供給的電源頻率、一般為50Hz或60Hz,我國規定為50Hz)正弦半波電流的平均值。
  4、軟啟動器正向平均壓降(UF)在規定的條件下,器件通以額定正向平均電流時,在陽極與陰極之間電壓降的平均值。
  5、維持電流(IH)在控制極斷開時,器件保持導通狀态所必需的小正向電流。
  6、控制極觸發電流(Ig)陽極與陰極之間加直流6V電壓時,使可控矽完全導通所必需的小控制極直流電流。
  7、控制極觸發電壓(Ug)是指從阻斷轉變為導通狀态時控制極上所加的小直流電壓。
  建議拆掉軟啟動器後測試,以往在工廠測試電機時候,一般都建議拆掉變頻器來測試的,其實就是主回路三條線,拆裝很簡單的,畢竟你測試電機絕緣時候,不知道你的測試儀輸出的高壓是多少了,一不留神會燒裡邊的器件的,畢竟裡邊除了可控矽,還可能有一些檢測電路或者過壓保護器件了,很容易受到破壞,一般主回路就是3個可控矽,可控矽的反向耐壓和正向耐壓,基本上是差不多的。
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